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UMG5NTR中文资料

UMG5NTR图片

UMG5NTR外观图

  • 大小：27.83KB
  • 厂家：
  • 描述：TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-353
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：68 @ 5mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 功率 - 最大：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353
  • 供应商设备封装：UMT5
  • 包装：带卷 (TR)

UMG5NTR供应商

更新时间:2023-01-17 11:55:30
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